Popis
ON Semiconductor NDT3055L
Tranzistor N-MOSFET; unipolární; max. napětí Drain-Source 60V; max. napětí Gate-Source ±20V; max. proud Drainu 4A; max. ztrátový výkon 3W; odpor v sepnutém stavu 0,18; max. náboj hradla 20nC; pouzdro SOT223; SMD montáž na DPS; pracovní teplota -55÷150°C.
Doplňkové parametry
| Kategorie: | Unipolární tranzistory N-kanál |
|---|---|
| Pracovní napětí (V): | 60 |
| Pracovní proud (A): | 4 |
| Výkon (W): | 3 |
| Pouzdro: | SOT223 |
| Montáž: | SMD |
| max. napětí Gate (V): | ±20 |
