Popis
Vishay IRF830PBF
Tranzistor N-MOSFET; unipolární; max. napětí Drain-Source 500V; max. napětí Gate-Source ±20V; max. proud Drainu 2,9A; max. ztrátový výkon 74W; odpor v sepnutém stavu 1,5; max. náboj hradla 38nC; pouzdro TO220AB; THT montáž do DPS; pracovní teplota -55÷150°C.
Doplňkové parametry
| Kategorie: | Unipolární tranzistory N-kanál |
|---|---|
| Pracovní napětí (V): | 500 |
| Pracovní proud (A): | 2.9 |
| Výkon (W): | 74 |
| Pouzdro: | TO220AB |
| Montáž: | THT |
| max. napětí Gate (V): | ±20 |
