Popis
STMicroelectronics STP18N60M2
Tranzistor N-MOSFET; MDmesh; unipolární; max. napětí Drain-Source 650V; max. napětí Gate-Source ±25V; max. proud Drainu 13A; max. ztrátový výkon 110W; odpor v sepnutém stavu 0,28; max. náboj hradla 21,5nC; pouzdro TO220; THT montáž do DPS; pracovní teplota -55÷150°C.
Doplňkové parametry
| Kategorie: | Unipolární tranzistory N-kanál |
|---|---|
| Pracovní napětí (V): | 650 |
| Pracovní proud (A): | 13 |
| Výkon (W): | 110 |
| Pouzdro: | TO220 |
| Montáž: | THT |
| max. napětí Gate (V): | ±25 |
