Popis
ON Semiconductor (Fairchild) FQD18N20V2TM
Tranzistor N-MOSFET; unipolární; max. napětí Drain-Source 200V; max. napětí Gate-Source ±30V; max. proud Drainu 15A; max. ztrátový výkon 83W; odpor v sepnutém stavu 0,14; pouzdro DPAK; SMD montáž na DPS; pracovní teplota -55÷150°C.
Doplňkové parametry
| Kategorie: | Unipolární tranzistory N-kanál |
|---|---|
| Pracovní napětí (V): | 200 |
| Pracovní proud (A): | 15 |
| Výkon (W): | 83 |
| Pouzdro: | DPAK |
| Montáž: | SMD |
| max. napětí Gate (V): | ±30 |
