Popis
STMicroelectronics STP20NK50Z
Tranzistor N-MOSFET; SuperMESH; unipolární; max. napětí Drain-Source 500V; max. napětí Gate-Source ±30V; max. proud Drainu 17A; max. ztrátový výkon 190W; odpor v sepnutém stavu 0,27; max. náboj hradla 119nC; pouzdro TO220-3; THT montáž do DPS; pracovní teplota -55÷150°C.
Doplňkové parametry
| Kategorie: | Unipolární tranzistory N-kanál |
|---|---|
| Pracovní napětí (V): | 500 |
| Pracovní proud (A): | 17 |
| Výkon (W): | 190 |
| Pouzdro: | TO220 |
| Montáž: | THT |
| max. napětí Gate (V): | ±30 |
