Popis
IXYS IXFQ20N50P3
Tranzistor N-MOSFET; unipolární; max. napětí Drain-Source 500V; max. napětí Gate-Source ±30V; max. proud Drainu 20A; max. ztrátový výkon 380W; pouzdro TO3PN; THT montáž do DPS; pracovní teplota -55÷150°C.
Doplňkové parametry
| Kategorie: | Unipolární tranzistory N-kanál |
|---|---|
| Pracovní napětí (V): | 500 |
| Pracovní proud (A): | 20 |
| Výkon (W): | 380 |
| Pouzdro: | TO3PN |
| Montáž: | THT |
| max. napětí Gate (V): | ±30 |
