Popis
Hitachi 2SK409
Tranzistor N-MOSFET; unipolární; max. napětí Drain-Source 180V; max. napětí Gate-Source ±20V; max. proud Drainu 2A; max. ztrátový výkon 30W; vysokofrekvenční; pouzdro TO220AB; THT montáž do DPS; pracovní teplota -55÷150°C.
Doplňkové parametry
| Kategorie: | Unipolární tranzistory N-kanál |
|---|---|
| Pracovní napětí (V): | 180 |
| Pracovní proud (A): | 2 |
| Výkon (W): | 30 |
| Pouzdro: | TO220 |
| Montáž: | THT |
| max. napětí Gate (V): | ±20 |
