Popis
Infineon (IRF) IRFS7530TRLPBF
Tranzistor N-MOSFET; unipolární; HEXFET; max. napětí Drain-Source 60V; max. napětí Gate-Source ±20V; max. proud Drainu 295A (195A limitováno Wire-Bondingem); max. ztrátový výkon 375W; odpor v sepnutém stavu 0,00165; max. náboj hradla 411nC; pouzdro D2PAK; SMD montáž na DPS; pracovní teplota -55÷175°C.
Výhody
- Ultra nízký odpor v sepnutém stavu 1,65m
- Rychlý
- Vysoká maximální teplota 175°C
- Vhodné pro motory
Doplňkové parametry
| Kategorie: | Unipolární tranzistory N-kanál |
|---|---|
| Pracovní napětí (V): | 60 |
| Pracovní proud (A): | 295 |
| Výkon (W): | 375 |
| Pouzdro: | D2PAK |
| Montáž: | SMD |
| max. napětí Gate (V): | ±20 |
