Popis
Toshiba 2SK1529
Tranzistor N-MOSFET; unipolární; max. napětí Drain-Source 180V; max. napětí Gate-Source ±20V; max. proud Drainu 10A; max. ztrátový výkon 120W; pouzdro TO3PN; THT montáž do DPS; pracovní teplota -55÷150°C.
Tranzistor vhodný pro speciální koncové stupně.
Tranzistor komplementární s 2SJ200.
Doplňkové parametry
| Kategorie: | Unipolární tranzistory N-kanál |
|---|---|
| Pracovní napětí (V): | 180 |
| Pracovní proud (A): | 10 |
| Výkon (W): | 120 |
| Pouzdro: | TO3PN |
| Montáž: | THT |
| max. napětí Gate (V): | ±20 |
