Popis
Infineon IKQ100N60T
Tranzistor IGBT (napětím řízený bipolární tranzistor); bipolární; max. napětí Kolektor-Emitor 600V; max. napětí Gate-Emitor ±20V; max. proud Kolektoru 160A; saturační napětí 1,5V (max. 2V); max. ztrátový výkon 714W; pouzdro TO247 Plus; THT montáž do DPS; pracovní teplota -40÷175°C.
Výhody
- Nízké saturační napětí
- Nízké EMI
- Plus pouzdro s lepším odvodem tepla
- Nízký náboj hradla
Doplňkové parametry
| Kategorie: | IGBT tranzistory |
|---|---|
| Pracovní napětí (V): | 600 |
| Pracovní proud (A): | 160 |
| Výkon (W): | 714 |
| Pouzdro: | TO247 PLUS |
| Montáž: | THT |
| max. napětí Gate (V): | ±20 |
| Rozsah teplot: | -40÷175°C |
| Položka byla vyprodána |
