Popis
STMicroelectronics STP34NM60N
Tranzistor N-MOSFET; MDmesh; unipolární; max. napětí Drain-Source 600V; max. napětí Gate-Source ±25V; max. proud Drainu 31,5A; max. ztrátový výkon 250W; odpor v sepnutém stavu 0,092; max. náboj hradla 84nC; pouzdro TO220-3; THT montáž do DPS; pracovní teplota -55÷175°C.
Výhody
- Antiparalelní zenerova dioda
- Nízký náboj hradla
- Nízký odpor v sepnutém stavu
Doplňkové parametry
| Kategorie: | Unipolární tranzistory N-kanál |
|---|---|
| Pracovní napětí (V): | 600 |
| Pracovní proud (A): | 31,5 |
| Výkon (W): | 250 |
| Pouzdro: | TO220-3 |
| Montáž: | THT |
| max. napětí Gate (V): | ±25 |
