Popis
Toshiba SSM3J332R
Tranzistor P-MOSFET; unipolární; max. napětí Drain-Source 30V; max. napětí Gate-Source ±12V; max. proud Drainu 6A; max. ztrátový výkon 1W; odpor v sepnutém stavu 0,144; max. náboj hradla 8,2nC; pouzdro SOT23F; SMD montáž na DPS; pracovní teplota -55÷150°C.
Doplňkové parametry
| Kategorie: | Unipolární tranzistory P-kanál |
|---|---|
| Pracovní napětí (V): | 30 |
| Pracovní proud (A): | 6 |
| Výkon (W): | 1 |
| Pouzdro: | SOT23F |
| Montáž: | SMD |
| max. napětí Gate (V): | ±12 |
