Popis
Infineon Technologies IGW50N60H3
Tranzistor IGBT (napětím řízený bipolární tranzistor); bipolární; max. napětí Kolektor-Emitor 600V; max. napětí Gate-Emitor ±20V; max. proud Kolektoru 50A; max. ztrátový výkon 333W; pouzdro TO247-3; THT montáž do DPS; pracovní teplota -55÷150°C.
Doplňkové parametry
| Kategorie: | IGBT tranzistory |
|---|---|
| Pracovní napětí (V): | 600 |
| Pracovní proud (A): | 50 |
| Výkon (W): | 333 |
| Pouzdro: | TO247-3 |
| Montáž: | THT |
| max. napětí Gate (V): | ±20 |
