Popis
Alpha & Omega Semiconductor AOT4N60
Tranzistor N-MOSFET; unipolární; max. napětí Drain-Source 600V; max. napětí Gate-Source ±30V; max. proud Drainu 2,5A; max. ztrátový výkon 104W; odpor v sepnutém stavu 2,2; max. náboj hradla 15nC; pouzdro TO220; THT montáž do DPS; pracovní teplota -55÷150°C.
Doplňkové parametry
| Kategorie: | Unipolární tranzistory N-kanál |
|---|---|
| Pracovní napětí (V): | 600 |
| Pracovní proud (A): | 2.5 |
| Výkon (W): | 104 |
| Pouzdro: | TO220 |
| Montáž: | THT |
| max. napětí Gate (V): | ±30 |
