Popis
Infineon Technologies (IRF) IRLML2060TRPBF
Tranzistor N-MOSFET; HEXFET; unipolární; max. napětí Drain-Source 60V; max. napětí Gate-Source ±16V; max. proud Drainu 1,2A; max. ztrátový výkon 1,25W; odpor v sepnutém stavu 0,048; max. náboj hradla 0,67nC; pouzdro SOT23; SMD montáž na DPS; pracovní teplota -55÷150°C.
Doplňkové parametry
| Kategorie: | Unipolární tranzistory N-kanál |
|---|---|
| Pracovní napětí (V): | 60 |
| Pracovní proud (A): | 1,2 |
| Výkon (W): | 1,25 |
| Pouzdro: | SOT-23 |
| Montáž: | SMD |
| max. napětí Gate (V): | ±16 |
