Popis
Infineon IRFB4110PBF
Tranzistor N-MOSFET; unipolární; HEXFET; max. napětí Drain-Source 100V; max. napětí Gate-Source ±20V; max. proud Drainu 120A; max. ztrátový výkon 370W; odpor v sepnutém stavu 0,0037; max. náboj hradla 150nC; pouzdro TO220; THT montáž do DPS; pracovní teplota -55÷175°C.
Doplňkové parametry
| Kategorie: | Unipolární tranzistory N-kanál |
|---|---|
| Pracovní napětí (V): | 100 |
| Pracovní proud (A): | 120 |
| Výkon (W): | 370 |
| Pouzdro: | TO220 |
| Montáž: | THT |
| max. napětí Gate (V): | ±20 |
