Popis
Transphorm TP65H150G4PS
Tranzistor N-MOSFET; SuperGaN; unipolární; max. napětí Drain-Source 650V; max. napětí Gate-Source ±20V; max. proud Drainu 13A; max. ztrátový výkon 52W; odpor v sepnutém stavu 0,18; max. náboj hradla 8nC; pouzdro TO220-3; THT montáž do DPS; pracovní teplota -55÷150°C.
Doplňkové parametry
| Kategorie: | Unipolární tranzistory N-kanál |
|---|---|
| Pracovní napětí (V): | 650 |
| Pracovní proud (A): | 13 |
| Výkon (W): | 52 |
| Materiál: | GaN |
| Pouzdro: | TO220 |
| Montáž: | THT |
| max. napětí Gate (V): | ±20 |
