Popis
IXYS IXGR40N60C2D1
Tranzistor IGBT (napětím řízený bipolární tranzistor); bipolární; max. napětí Kolektor-Emitor 600V; max. napětí Gate-Emitor ±20V; max. proud Kolektoru 75A; saturační napětí 2V (max. 2,5V); max. ztrátový výkon 200W; pouzdro TO247 Plus; THT montáž do DPS; pracovní teplota -55÷150°C.
Výhody
- S paralelní diodou
- Izolovaný chladič (není nutné použít izolační podložku)
- Plus pouzdro s lepším odvodem tepla
- Nízký náboj hradla
Použití
- Napájecí zdroje pro LED podsvětlení
- Spínanné zdroje
Není zaměnitelný s tranzistorem IXGR40N60C2, obsahuje paralelní diodu!
Doplňkové parametry
| Kategorie: | IGBT tranzistory |
|---|---|
| Pracovní napětí (V): | 600 |
| Pracovní proud (A): | 75 |
| Výkon (W): | 200 |
| Pouzdro: | TO247 PLUS |
| Montáž: | THT |
| max. napětí Gate (V): | ±20 |
| Rozsah teplot: | -55÷150°C |
