Popis
Infineon Technologie BSS139H6327XTSA1
Tranzistor N-MOSFET; HEXFET; unipolární; max. napětí Drain-Source 250V; max. napětí Gate-Source ±20V; max. proud Drainu 0,1A; max. ztrátový výkon 0,36W; odpor v sepnutém stavu 30; náboj hradla 3,5nC; pouzdro SOT23; SMD montáž na DPS; pracovní teplota -55÷150°C.
Doplňkové parametry
| Kategorie: | Unipolární tranzistory N-kanál |
|---|---|
| Pracovní napětí (V): | 250 |
| Pracovní proud (A): | 0.1 |
| Výkon (W): | 0.36 |
| Pouzdro: | SOT23 |
| Montáž: | SMD |
| max. napětí Gate (V): | ±20 |
