Popis
ON Semiconductor (Fairchild) MMBFJ112
Tranzistor N-JFET; unipolární; max. napětí Drain-Source 35V; max. napětí Gate-Source ±35V; max. proud Drainu 0,05A; max. ztrátový výkon 0,35W; pouzdro SOT23; SMD montáž na DPS; pracovní teplota -55÷150°C.
Doplňkové parametry
| Kategorie: | Unipolární tranzistory N-kanál |
|---|---|
| Pracovní napětí (V): | 35 |
| Pracovní proud (A): | 0,05 |
| Výkon (W): | 0,35 |
| Pouzdro: | SOT23 |
| Montáž: | SMD |
| max. napětí Gate (V): | ±35 |
