Popis
IXYS IXFA110N15T2
Tranzistor N-MOSFET; TrenchT2 HiperFET; unipolární; max. napětí Drain-Source150V; max. napětí Gate-Source ±20V; max. proud Drainu 110A; max. ztrátový výkon 480W; odpor v sepnutém stavu 0,013; max. náboj hradla 150nC; pouzdro D2PAK; SMD montáž na DPS; pracovní teplota -55÷175°C.
Výhody
- Velmi vysoký proud až 110A
- Velmi nízký odpor v sepnutém stavu
Doplňkové parametry
| Kategorie: | Unipolární tranzistory N-kanál |
|---|---|
| Pracovní napětí (V): | 150 |
| Pracovní proud (A): | 110 |
| Výkon (W): | 480 |
| Pouzdro: | D2PAK |
| Montáž: | SMD |
| max. napětí Gate (V): | ±20 |
