Popis
ON Semiconductor FDA18N50
Tranzistor N-MOSFET; UniFET; unipolární; max. napětí Drain-Source 500V; max. napětí Gate-Source ±30V; max. proud Drainu 19A; max. ztrátový výkon 239W; odpor v sepnutém stavu 0,265; náboj hradla 45nC; pouzdro TO3PN; THT montáž do DPS; pracovní teplota -55÷150°C.
Vlastnosti
- Antiparalelní zenerova dioda
- Nízký náboj hradla
- Nízký odpor v sepnutém stavu
Doplňkové parametry
| Kategorie: | Unipolární tranzistory N-kanál |
|---|---|
| Pracovní napětí (V): | 500 |
| Pracovní proud (A): | 19 |
| Výkon (W): | 239 |
| Pouzdro: | TO3PN |
| Montáž: | THT |
| max. napětí Gate (V): | ±30 |
| Položka byla vyprodána |
