Popis
STMicroelectronics STD4NK60Z-1
Tranzistor N-MOSFET; SuperMESH; unipolární; max. napětí Drain-Source 600V; max. napětí Gate-Source ±30V; max. proud Drainu 4A; max. ztrátový výkon 70W; odpor v sepnutém stavu 1,7; max. náboj hradla 18,8nC; pouzdro IPAK; THT montáž do DPS; pracovní teplota -55÷150°C.
Doplňkové parametry
| Kategorie: | Unipolární tranzistory N-kanál |
|---|---|
| Pracovní napětí (V): | 600 |
| Pracovní proud (A): | 4 |
| Výkon (W): | 70 |
| Pouzdro: | IPAK |
| Montáž: | THT |
| max. napětí Gate (V): | ±30 |
