Popis
STMicroelectronics STP10NK60ZFP
Tranzistor N-MOSFET; SuperMesh; unipolární; max. napětí Drain-Source 600V; max. napětí Gate-Source ±30V; max. proud Drainu 10A; max. ztrátový výkon 35W; odpor v sepnutém stavu 0,75; max. náboj hradla 50nC; pouzdro TO220FP; THT montáž do DPS; pracovní teplota -55÷150°C.
Výhody
- Antiparalelní zenerova dioda
- Ochrana Gatu (ESD protected gate)
- Vhodné pro spínané aplikace
– Ochrana Gatu (ESD protected gate)
– Antiparalelní zenerova dioda
– Nízký náboj hradla
Doplňkové parametry
| Kategorie: | Unipolární tranzistory N-kanál |
|---|---|
| Pracovní napětí (V): | 600 |
| Pracovní proud (A): | 10 |
| Výkon (W): | 35 |
| Pouzdro: | TO220FP |
| Montáž: | THT |
| max. napětí Gate (V): | ±30 |
