Popis
ON Semiconductor BS170
Tranzistor N-MOSFET; unipolární; max. napětí Drain-Source 60V; max. napětí Gate-Source ±20V; max. proud Drainu 0,5A; max. ztrátový výkon 0,3W; odpor v sepnutém stavu 1,2; pouzdro TO92; THT montáž do DPS; pracovní teplota -55÷150°C.
Doplňkové parametry
| Kategorie: | Unipolární tranzistory N-kanál |
|---|---|
| Pracovní napětí (V): | 60 |
| Pracovní proud (A): | 0,5 |
| Výkon (W): | 0,3 |
| Pouzdro: | TO92 |
| Montáž: | THT |
| max. napětí Gate (V): | ±20 |
