Popis
Infineon Technologie BSS123NH6327XTSA1
Tranzistor N-MOSFET; unipolární; max. napětí Drain-Source 100V; max. napětí Gate-Source ±20V; max. proud Drainu 0,19A; max. ztrátový výkon 0,5W; odpor v sepnutém stavu 6; pouzdro SOT23; SMD montáž na DPS; pracovní teplota -55÷150°C.
Doplňkové parametry
| Kategorie: | Unipolární tranzistory N-kanál |
|---|---|
| Pracovní napětí (V): | 100 |
| Pracovní proud (A): | 0.19 |
| Výkon (W): | 0.5 |
| Pouzdro: | SOT23 |
| Montáž: | SMD |
| max. napětí Gate (V): | ±20 |
| Položka byla vyprodána |
