Popis
Tranzistor Infineon Technologies IHW15N120R3 (H15R1203) – TO247-3
Výkonný IGBT tranzistor (napětím řízený bipolární tranzistor) s vysokým napětím Kolektor-Emitor až 1200V. Díky vysoké proudové zatížitelnosti a ztrátovému výkonu 254W je ideální pro výkonové aplikace, spínací obvody a měniče. Robustní pouzdro TO247-3 a THT montáž umožňují snadnou integraci do DPS.
Využití
- Výkonové měniče a regulátory
- Spínací aplikace a invertory
- Průmyslové napájecí zdroje
- Pohony motorů a řízení výkonu
Technické parametry
| Typ: | IGBT (napětím řízený bipolární tranzistor) |
| Max. napětí Kolektor-Emitor: | 1200V |
| Max. napětí Gate-Emitor: | ±20V |
| Max. proud Kolektoru: | 30A |
| Max. ztrátový výkon: | 254W |
| Pouzdro: | TO247-3 |
| Montáž: | THT (skrzotisková montáž do DPS) |
| Pracovní teplota: | -40 až 175 °C |
Vysoce výkonný tranzistor pro náročné aplikace v oblasti výkonové elektroniky. Spolehlivá volba pro profesionální i průmyslové použití.
Doplňkové parametry
| Kategorie: | IGBT tranzistory |
|---|---|
| Pracovní napětí (V): | 1200 |
| Pracovní proud (A): | 30 |
| Výkon (W): | 254 |
| Pouzdro: | TO247-3 |
| Montáž: | THT |
| max. napětí Gate (V): | ±20 |
