Popis
Infineon Technologies IRG4BC30WPBF
Tranzistor IGBT (napětím řízený bipolární tranzistor); bipolární; max. napětí Kolektor-Emitor 600V; max. napětí Gate-Emitor ±16V; max. proud Kolektoru 23A; max. ztrátový výkon 100W; pouzdro TO220AB; THT montáž do DPS; pracovní teplota -55÷150°C.
Doplňkové parametry
| Kategorie: | IGBT tranzistory |
|---|---|
| Pracovní napětí (V): | 600 |
| Pracovní proud (A): | 23 |
| Výkon (W): | 100 |
| Pouzdro: | TO220AB |
| Montáž: | THT |
| max. napětí Gate (V): | ±16 |
