Popis
Infineon Technologies (IRF) IRLML6402TRPBF
Tranzistor P-MOSFET; HEXFET; unipolární; max. napětí Drain-Source 20V; max. napětí Gate-Source ±12V; max. proud Drainu 2,2A; max. ztrátový výkon 1,3W; odpor v sepnutém stavu 0,05; max. náboj hradla 8nC; pouzdro SOT23; SMD montáž na DPS; pracovní teplota -55÷150°C.
Doplňkové parametry
| Kategorie: | Unipolární tranzistory P-kanál |
|---|---|
| Pracovní napětí (V): | 20 |
| Pracovní proud (A): | 2.2 |
| Výkon (W): | 1.3 |
| Pouzdro: | SOT23 |
| Montáž: | SMD |
| max. napětí Gate (V): | ±12 |
