Popis
Infineon Technologies IRLU024NPBF
Tranzistor N-MOSFET; HEXFET; unipolární; max. napětí Drain-Source 55V; max. napětí Gate-Source ±16V; max. proud Drainu 17A; max. ztrátový výkon 45W; odpor v sepnutém stavu 65m; max. náboj hradla 15nC; pouzdro IPAK; THT montáž do DPS; pracovní teplota -55÷175°C.
Doplňkové parametry
| Kategorie: | Unipolární tranzistory N-kanál |
|---|---|
| Pracovní napětí (V): | 55 |
| Pracovní proud (A): | 17 |
| Výkon (W): | 75 |
| Pouzdro: | IPAK |
| Montáž: | THT |
| max. napětí Gate (V): | ±16 |
