Popis
ONSEMI ISL9V5036S3ST
Tranzistor IGBT (napětím řízený bipolární tranzistor); bipolární; max. napětí Kolektor-Emitor 390V; max. napětí Gate-Emitor ±10V; max. proud Kolektoru 31A; max. ztrátový výkon 250W; pouzdro D2PAK; SMD montáž do DPS; pracovní teplota -40÷175°C.
Označení na tranzistoru: V5036S
Doplňkové parametry
| Kategorie: | IGBT tranzistory |
|---|---|
| Pracovní napětí (V): | 390 |
| Pracovní proud (A): | 31 |
| Výkon (W): | 250 |
| Pouzdro: | D2PAK, TO263 |
| Montáž: | SMD |
| max. napětí Gate (V): | ±10 |
