Popis
IXYS IXFP130N10T2
Tranzistor N-MOSFET; unipolární; max. napětí Drain-Source 100V; max. napětí Gate-Source ±20V; max. proud Drainu 130A; max. ztrátový výkon 360W; odpor v sepnutém stavu 0,01; pouzdro TO220-3; THT montáž do DPS; pracovní teplota -55÷175°C.
Doplňkové parametry
| Kategorie: | Unipolární tranzistory N-kanál |
|---|---|
| Pracovní napětí (V): | 100 |
| Pracovní proud (A): | 130 |
| Výkon (W): | 360 |
| Pouzdro: | TO220 |
| Montáž: | THT |
| max. napětí Gate (V): | ±20 |
