Popis
ON Semiconductor (Fairchild) MMBFJ310LT1G
Tranzistor N-JFET; unipolární; max. napětí Drain-Source 25V; max. napětí Gate-Source ±25V; max. proud Drainu 0,01A; max. ztrátový výkon 0,225W; pouzdro SOT23; SMD montáž na DPS; pracovní teplota -55÷150°C.
Doplňkové parametry
| Kategorie: | Unipolární tranzistory N-kanál |
|---|---|
| Pracovní napětí (V): | 25 |
| Pracovní proud (A): | 0,01 |
| Výkon (W): | 0,225 |
| Pouzdro: | SOT23 |
| Montáž: | THT |
| max. napětí Gate (V): | ±25 |
