Popis
Infineon Technologies IRFB3306PBF
Tranzistor N-MOSFET; HEXFET; unipolární; max. napětí Drain-Source 60V; max. napětí Gate-Source ±20V; max. proud Drainu 160A; max. ztrátový výkon 230W; odpor v sepnutém stavu 0,0033; max. náboj hradla 120nC; pouzdro TO220; THT montáž do DPS; pracovní teplota -55÷175°C.
Doplňkové parametry
| Kategorie: | Unipolární tranzistory N-kanál |
|---|---|
| Pracovní napětí (V): | 60 |
| Pracovní proud (A): | 160 |
| Výkon (W): | 230 |
| Pouzdro: | TO220 |
| Montáž: | THT |
| max. napětí Gate (V): | ±20 |
