Popis
Infineon (IRF) IRF530NSTRLPBF
Tranzistor N-MOSFET; HEXFET; unipolární; max. napětí Drain-Source 100V; max. napětí Gate-Source ±20V; max. proud Drainu 17A; max. ztrátový výkon 70W; odpor v sepnutém stavu 0,09; max. náboj hradla 37nC; pouzdro D2PAK; SMD montáž na DPS; pracovní teplota -55÷175°C.
Doplňkové parametry
| Kategorie: | Unipolární tranzistory N-kanál |
|---|---|
| Pracovní napětí (V): | 100 |
| Pracovní proud (A): | 17 |
| Výkon (W): | 70 |
| Pouzdro: | D2PAK |
| Montáž: | SMD |
| max. napětí Gate (V): | ±20 |
