Popis
Infineon (IRF) IRF5210PBF
Tranzistor P-MOSFET; HEXFET; unipolární; max. napětí Drain-Source 100V; max. napětí Gate-Source ±20V; max. proud Drainu 40A; max. ztrátový výkon 200W; odpor v sepnutém stavu 0,06; max. náboj hradla 180nC; pouzdro TO220AB; THT montáž do DPS; pracovní teplota -55÷175°C.
Doplňkové parametry
| Kategorie: | Unipolární tranzistory P-kanál |
|---|---|
| Pracovní napětí (V): | 100 |
| Pracovní proud (A): | 40 |
| Výkon (W): | 200 |
| Pouzdro: | TO220AB |
| Montáž: | THT |
| max. napětí Gate (V): | ±20 |
