Popis
Infineon Technologies IRLR2905ZTRPBF
Tranzistor N-MOSFET; unipolární; HEXFET; max. napětí Drain-Source 55V; max. napětí Gate-Source ±16V; max. proud Drainu 43A; max. ztrátový výkon 110W; odpor v sepnutém stavu 0,0135; max. náboj hradla 35nC; pouzdro DPAK; SMD montáž na DPS; pracovní teplota -55÷175°C.
Doplňkové parametry
| Kategorie: | Unipolární tranzistory N-kanál |
|---|---|
| Pracovní napětí (V): | 55 |
| Pracovní proud (A): | 42 |
| Výkon (W): | 110 |
| Pouzdro: | DPAK |
| Montáž: | SMD |
| max. napětí Gate (V): | ±16 |
