Popis
Infineon Technologies IHW40N60RF (H40RF60)
Tranzistor IGBT (napětím řízený bipolární tranzistor); bipolární; max. napětí Kolektor-Emitor 600V; max. napětí Gate-Emitor ±20V; max. proud Kolektoru 80A; max. ztrátový výkon 305W; pouzdro TO247-3; THT montáž do DPS; pracovní teplota -55÷175°C.
Výhody
- Paralelní dioda s nízkým úbytkem napětí
- Nízké EMI
- Nízké saturační napětí
- Pracovní teplota až 175°C
Doplňkové parametry
| Kategorie: | IGBT tranzistory |
|---|---|
| Pracovní napětí (V): | 600 |
| Pracovní proud (A): | 80 |
| Výkon (W): | 305 |
| Pouzdro: | TO247-3 |
| Montáž: | THT |
| max. napětí Gate (V): | ±20 |
