Popis
Infineon IRF2805PBF
Tranzistor N-MOSFET; HEXFET; unipolární; max. napětí Drain-Source 55V; max. napětí Gate-Source ±20V; max. proud Drainu 175A; max. ztrátový výkon 330W; odpor v sepnutém stavu 0,0047; max. náboj hradla 230nC; pouzdro TO220AB; THT montáž do DPS; pracovní teplota -55÷175°C.
Doplňkové parametry
| Kategorie: | Unipolární tranzistory N-kanál |
|---|---|
| Pracovní napětí (V): | 55 |
| Pracovní proud (A): | 175 |
| Výkon (W): | 330 |
| Pouzdro: | TO220 |
| Montáž: | THT |
| max. napětí Gate (V): | ±20 |
