Popis
Infineon IRF7303TRPBF
Tranzistor P-MOSFET; dvojitý; unipolární; max. napětí Drain-Source 30V; max. napětí Gate-Source ±20V; max. proud Drainu 2x 4,9A; max. ztrátový výkon 2W; odpor v sepnutém stavu 0,05; max. náboj hradla 25nC; pouzdro SO8; SMD montáž na DPS; pracovní teplota -55÷150°C.
Doplňkové parametry
| Kategorie: | Unipolární tranzistory P-kanál |
|---|---|
| Pracovní napětí (V): | 30 |
| Pracovní proud (A): | 4,9 |
| Výkon (W): | 2 |
| Pouzdro: | SO8 |
| Montáž: | SMD |
| max. napětí Gate (V): | ±20 |
| Položka byla vyprodána |
