Popis
International Rectifier IRGPS40B120U
Tranzistor IGBT (napětím řízený bipolární tranzistor); bipolární; max. napětí Kolektor-Emitor 1200V; max. napětí Gate-Emitor ±20V; max. proud Kolektoru 80A; saturační napětí 3,12V (max. 4,8V); max. ztrátový výkon 595W; pouzdro Super-247; THT montáž do DPS; pracovní teplota -55÷150°C.
Výhody
- Nízké saturační napětí
- Vysoké max. napětí
- Plus pouzdro s lepším odvodem tepla
- Nízký náboj hradla
Doplňkové parametry
| Kategorie: | IGBT tranzistory |
|---|---|
| Pracovní napětí (V): | 1200 |
| Pracovní proud (A): | 80 |
| Výkon (W): | 595 |
| Pouzdro: | Super-247 |
| Montáž: | THT |
| max. napětí Gate (V): | ±20 |
| Rozsah teplot: | -40÷175°C |
